BC849C,235
NXP Semiconductors
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-236AB |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Leistung - max | 250 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 420 @ 2mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
NXP SOT-23
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
NXP SOT-23
BC849C-GS08 VISHAY
SOT-23
BC849C E6327 Infineon
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
BC849C-7 VISHAY
TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB
TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
SOT-23 NPN 0.2W 0.1A 50V Transis
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
2023/12/20
2024/03/20
2024/06/11
2024/05/13
BC849C,235NXP Semiconductors |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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